Тезисы докладов 23-го семинара «Графен: молекула и 2D кристалл»

24 декабря 2015 г. на 23-м заседании Всероссийского семинара «Графен: молекула + 2D кристалл» будут представлены следующие доклады:

 

Взаимодействие графенов в 5-ти верхних слоях пирографита, электронная заселенность π-зон у каждого слоя.

Алексей Петрович Дементьев,

Вед. науч.  сотр. РИЦ Курчатовский институт

N(E) CKVV Оже спектры (Vsσpπ) были использованы для измерения электронной заселенности π-зон в пяти верхних слоях свежеприготовленном образце графита путем его расщепления. Профилирование по глубине состояний π-зон у каждого из 1-5 слоев графенов осуществлялось изменением угла сбора электронов в диапазоне 15о-90о.Заселенность электронами в π-зон у каждого из 1-5 слоев измерялась относительно концентрации электронов в σp-зоны, она изменялась ≈ 0 у верхнего слоя до значения ее в графите у 5го слоя. Установлены различные заселенности π-зон у каждого 1-5 слоев графенов после очистки. Предполагается следующий механизм для объяснения наблюдаемых изменений в π-band.

1. Взаимодействие графенов в balk HOPG осуществляется посредством pz-электронов соседних слоев. В результате этого взаимодействия имеют место переходы pz → π-band с образованием стационарного состояния  p1-nzn у каждого слоя графенов, где n- часть pz-электронов перешедших в π-band.

2. После расщепления HOPG происходит изменение заселенности πn в 1-4 слоях графенов за счет обратных πnp1-nпереходов с образованием нового стационарного πni у каждого из 5 ти верхних слоев.

 

 

 

Синтез монокристаллов графена большого размера

Константин Николаевич Ельцов, д.ф.м.н.

Зав. отделом технологий и измерений атомного масштаба ИОФ РАН

Особенностью роста двумерных материалов – слоевых кристаллов с ван-дер-ваальсовой связью между слоями (например, одного атомного слоя графита - графена) на поверхности твердого тела - является то, что для них не обязательна эпитаксиальная (сильная) связь с подложкой. Достаточным условием зачастую является гладкость подложки, а определяющим является кинетика реакции, при которой имеется преимущественный рост одного двумерного зародыша.

В лекции будут рассмотрены:

Эпитаксиальный рост на металлическом катализаторе. Системы с сильным взаимодействием  графена с подложкой металла (Ni, Ru, Rh, Co, Re);

Неэпитаксиальный рост на металлическом катализаторе. Системы со слабым взаимодействием  графена с подложкой металла (Cu, Ag, Au, Pt, Ir);

Неэпитаксиальный рост на поверхности полупроводника (Ge). 

Прочитано 4238 раз Последнее изменение 11 Дек,2015
Оцените материал
(1 Голосовать)